首页 首页 资讯 财经 查看内容

umss交易所产品业务_umss交易所开发体系

2022-5-13 14:05| 发布者: CEO在线| 查看: 836| 评论: 0|来自: 互联网

摘要:   umss交易所产品业务_umss交易所开发体系   umss交易所产品业务消息,三星电子此前表示,将在本季度 (即这几周) 开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。不过,先前业界传出三星 3nm 良率仅 ...

  umss交易所产品业务_umss交易所开发体系

  umss交易所产品业务消息,三星电子此前表示,将在本季度 (即这几周) 开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。不过,先前业界传出三星 3nm 良率仅 20~30%,可能拖累量产进程,引起业界担忧。

  据umss交易所产品业务,业界传出消息称三星 3nm 良率问题已解决,3nm GAA 制程将如期量产。

  umss交易所产品业务曾报道,三星在其第一季度电话会议上向其股东保证,该公司正在按计划进行。三星电子正努力打消股东对于有传闻称代工部门产率出现问题的担忧。

  在芯片生产方面,他还表示,5nm 工艺已经进入批量生产的成熟阶段,而 4nm 芯片的产能将很快开始改善,“虽然 4 纳米制程初期的产量扩大有所延迟,但目前正以稳定为重点,进入预期的产量改善曲线。”

  他还表示:“通过改善 3nm 制程的节点开发体系,三星现在对每个开发阶段都有一个验证流程”,他强调这将有助于缩短产量爬坡期,提高盈利能力,并确保更稳定的供应。

  在接下来的 3nm 节点中,三星比台积电更激进,决定放弃 FinFET 晶体管技术,全球首发 GAA 晶体管工艺,而台积电的 3nm 工艺依然会基于旧工艺。

  三星之前表示,GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能。

  根据三星的说法,与 7nm 制造工艺相比,3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 45% 以上,功耗降低了 50%,性能提高了约 35%,纸面参数上来说却是要优于台积电 3nm FinFET 工艺。

  (本内容属于网络转载,文中涉及图片等内容如有侵权,请联系编辑删除。市场有风险,选择需谨慎!此文不作买卖及投资依据。)

分享至:
| 收藏

公司 & 人物

ADAYO华阳与地平线达成战略合作 助力智能网联汽车发展
ADAYO华阳与地平线达成战略合
  4月19日,2021上海国际汽车工业展览会在国家会展中心(上海)如期举行,ADAYO华阳携
重磅!小浣熊被评为“福建省抗击新冠肺炎疫情先进民营企业”
重磅!小浣熊被评为“福建省抗
  近日,福建省工商业联合会、福建省光彩事业促进会下发《福建省工商业联合会关于对
热烈庆祝 | 青李人力青岛分公司隆重开业
热烈庆祝 | 青李人力青岛分公
  2021年3月6日,文艺复兴集团旗下——青李人力青岛子公司隆重开业。青李人力总部位
全程管家更省心!业之峰“2021全年第一签”来了
全程管家更省心!业之峰“2021
  装修工程环节多、工期长,让人疲于奔命,一不小心还容易掉入各种消费“陷阱”。